陕西科技大学前沿科学与技术转移研究院材料原子·分子科学研究所

研究主题：GAN基LED 氮化镓光电性能

研究学科：电子信息类

被引量：0H指数：0北大核心: 1 CSCD: 1

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GaN基LED中V形坑缺陷的研究进展: 1; 《中国材料进展》陕西科技大学前沿科学与技术转移研究院材料原子·分子科学研究所;太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室刘青明尚林邢茹萍侯艳艳张帅黄佳瑶马淑芳许并社出版年：2020; 国家重点研发计划项目(2016YFB0401803);山西省重点研发计划项目(201703D111026)。; 自低温AlN、GaN形核技术和高温热退火技术实现了外延高质量GaN薄膜和激活p型GaN受主以来,GaN基光电器件得到了迅猛发展。但是,GaN基光电器件依然存在诸多基础性问题,特别是基于异质衬底外延的GaN基LED外延层中...; 关键词：氮化镓 V形坑缺陷非辐射复合光电性能

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