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重庆中科渝芯电子有限公司 收藏

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研究主题:导电类型    整流器    介质层    多晶    重掺杂    

研究学科:电子信息类    电气类    自动化类    经济学类    

被引量:21H指数:2北大核心: 16 CSCD: 3

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184 条 记 录,以下是 1-10

SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势
1
《微电子学》重庆中科渝芯电子有限公司 马羽 王志宽 崔伟  出版年:2018
介绍了基于SiGe材料的集成电路工艺技术概况,包括SiGe HBT器件结构、SiGe HBT特色双极工艺、SiGe BiCMOS工艺等。概述了SiGe工艺技术的应用情况以及国内外发展现状,并结合应用需求,提出了国内模拟集...
关键词:异质结 SIGE HBT SiGe双极工艺  SIGE BICMOS工艺
低温度系数的CrSi薄膜电阻的制备工艺
2
《微纳电子技术》中国电子科技集团公司第二十四研究所;重庆中科渝芯电子有限公司 王飞 陈俊 王学毅 常小宇 冉明 杨永晖 杨伟  出版年:2017
采用磁控溅射法制备低温度系数CrSi薄膜电阻,研究了制备过程中溅射条件对CrSi薄膜电阻温度系数的影响,包括溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量。这些条件通过改变CrSi薄膜这种不连续金属薄膜中的晶...
关键词:磁控溅射 CrSi薄膜电阻  温度系数 溅射条件  电阻率
键合SOI材料应力的控制技术
3
《微纳电子技术》中国电子科技集团公司第二十四研究所;重庆中科渝芯电子有限公司 陈俊 王学毅 谭琦 杜金生 吴建  出版年:2017
国家技术改造项目(201608XT001Y)
在基于绝缘体上硅(SOI)材料的IC器件及MEMS器件研发过程中,薄膜应力引起的晶圆变形、膜层脱落等工艺问题,制约了其研发进度和器件性能。对键合SOI材料整体残余应力展开研究,推出埋氧层、背面氧化层、衬底厚度与SOI整体...
关键词:绝缘体上硅(SOI)  微电子机械系统(MEMS)  翘曲度 张应力  压应力
一款基于电荷泵高压内电源的恒定跨导轨到轨运算放大器
4
《微电子学与计算机》重庆理工大学两江人工智能学院;重庆中科渝芯电子有限公司 张俊安 李新星 杨法明 林涛 徐金贵 李铁虎  出版年:2023
国家自然科学基金资助项目(62004020);重庆市科技局科技项目(cstc2018jszx-cyztzxX0050,cstc2020jcyjmsxmX0347)资助;重庆市教委科学技术研究项目(KJQN201801119,KJQN201901108,KJQN20210110,KJQN202101103,KJQN202101137)资助;重庆理工大学科研启动基金资助项目(2017ZD24,2017ZD58,2019ZD06,2019ZD113).
设计了一款基于电荷泵高压内电源的恒定跨导轨到轨运算放大器.输入级采用PMOS差分对结构,通过电荷泵产生高于电源电压的输入级内电源,使运放在轨到轨输入范围能正常工作并保持输入跨导恒定.电荷泵电路所需的时钟信号通过内部振荡器...
关键词:恒跨导 轨到轨 高压电荷泵  运算放大器
亚微米间距PECVD填隙工艺研究
5
《微纳电子技术》中国电子科技集团公司第二十四研究所;重庆中科渝芯电子有限公司 王学毅 王飞 冉明 刘嵘侃 杨永晖  出版年:2016
将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀...
关键词:等离子增强化学气相淀积(PECVD)  二氧化硅(SiO2)  反应离子刻蚀(RIE)  三步填充法  亚微米间隙  金属间介质(IMD)  空洞  
一种环形栅LDMOS器件的宏模型
6
《微电子学》中国电子科技集团公司第二十四研究所;重庆中科渝芯电子有限公司;模拟集成电路国家级重点实验室 韩卫敏 刘娇 王磊 洪敏 朱坤峰 张广胜  出版年:2023
重庆市自然科学基金面上项目(CSTB2022NSCQ-MSX0254)
提出了一种适用于环形栅LDMOS器件的子电路宏模型。基于对环形栅LDMOS器件结构的分析,将环形栅LDMOS器件分为两个部分,一个是中间的条形栅MOS部分,使用常规的高压MOS模型;另一个是端头部分,为一个圆环形栅极MO...
关键词:环形栅  LDMOS 宏模型 BCD工艺
一种提高机械应力测试精确度的方法
7
[发明专利] 重庆中科渝芯电子有限公司 20250313刘勇 徐侧茗 谭磊 肖添 施杨剑 王斌 李航 刘玉奎 杨法明 王磊  出版年:2025
本发明公开一种提高机械应力测试精确度的方法,包括以下步骤:1)构建应力传感器的应力分量计算公式;2)确定当前应力测试位置上应力传感器各电阻在应力产生前、后的阻值变化率;3)通过离线测试方式确定压阻系数的标准差,取原标准差...
一种横向高压双极结型晶体管及其制造方法
8
[发明专利] 重庆中科渝芯电子有限公司 20170302刘建 刘青 税国华 张剑乔 易前宁 陈文锁  出版年:2018
本发明公开了一种横向高压双极结型晶体管及其制造方法;包括P型衬底、N型埋层、P型埋层、N型外延层、P型隔离穿透区、N型穿通区、P型体区、N型重掺区、N型重掺环区、预氧层、场氧层、TEOS金属前介质层、发射区金属、集电极金...
一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法
9
[发明专利] 重庆中科渝芯电子有限公司 20170831郭亿文 冉明 王学毅 王飞 崔伟  出版年:2018
本发明公开了一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法,其特征在于,包括:衬底介质层、薄膜电阻层、掩蔽层、介质层、隔离层和金属层。进行以下步骤:1)在衬底介质层上淀积一层电阻薄膜层。2)在所述电阻薄膜层上淀积一层掩蔽层。3)...
一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器
10
[实用新型] 重庆中科渝芯电子有限公司 20170224陈文锁 张培健 钟怡 刘建 陆泽灼  出版年:2017
本实用新型公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器;所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特...
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