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丹尼克斯半导体有限公司 收藏

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研究主题：半导体器件    导电类型    半导体装置    极区    半导体芯片    

研究学科：电子信息类    经济学类    自动化类    电气类    

被引量：17H指数：2WOS: 1 EI: 1 北大核心: 2 CSCD: 1

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大功率半导体技术现状及其进展
1
《机车电传动》新型功率半导体器件国家重点实验室;丹尼克斯半导体有限公司功率半导体研发中心 刘国友 王彦刚 李想 Arthur SU 李孔竞 杨松霖  出版年：2021
介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了大功率半导体技术面临的技...
关键词：功率半导体器件  硅材料  晶闸管 门极可关断晶闸管 集成门极换流晶闸管 绝缘栅双极晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管 宽禁带
高次谐波大回旋太赫兹振荡器多模工作特性 ( EI收录)
2
《红外与毫米波学报》桂林电子科技大学;丹尼克斯半导体有限公司研发中心;电子科技大学;中国电子科技集团公司第十二研究所微波电真空器件国家级重点实验室 赵其祥 马梦诗 李想 吕游 张天钟 彭麟 王峨锋 冯进军  出版年：2022
Supported by National Natural Science Foundation of China(62001131);Guangxi Natural Science (2019GXNSF-BA245066);Guangxi Science and Technology Base and Talent Special Project(AD19245042);the Dean Project of Guangxi Key Laboratory of WirelessBroadband Communication and Signal Processing Grant(GXKL06190102)。
设计了一支可工作于4~9次谐波的大回旋太赫兹振荡管,借助于三维粒子模拟,研究了设计的大回旋振荡管注-波互作用机理、高次谐波工作特性、谐波模式间竞争等关键特性。结果表明,通过调节磁场强度,可以在多个相邻谐波处连续激发振荡,...
关键词：大回旋电子注  回旋管 高次谐波 太赫兹
半导体器件
3
[发明专利] 丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代半导体有限公司 20210528R·A·辛普森 迈克尔·大卫·尼科尔森 王彦刚  出版年：2023
提供了一种半导体器件(1)，包括：壳体，其包括布置在该壳体的相对侧的第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)；以及多个半导体单元(30)，其布置在壳体内该第一和第二壳体电极(4、5)之间，并通过压力耦合到该第一和第二壳体电...
半导体器件
4
[发明专利] 丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代电气股份有限公司 20170525伊恩·德文尼 路德-金·恩格文森 约翰·哈钦斯  出版年：2023
我们在此公开了一种栅极控制的双极型半导体器件，包括：第一导电类型的集电极区；设置于所述集电极区之上的第二导电类型的漂移区；设置于所述漂移区之上的第一导电类型的主体区；第二导电类型的多个第一接触区，所述多个第一接触区设置于...
高功率的半导体装置的晶片金属化
5
[发明专利] 丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代电气股份有限公司 20160212I·德温耶 M·柯  出版年：2017
本发明公开了一种用于高电流密度应用的功率半导体装置，所述装置包括：形成在彼此顶部之上的多个半导体区域；形成在所述半导体区域之一的第一表面上方的接触层。所述接触层包括置于与所述半导体区域之一的所述第一表面直接接触的第一部分...
压接式半导体器件封装
6
[发明专利] 丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代半导体有限公司 20211021R·A·辛普森 迈克尔·大卫·尼科尔森 王彦刚  出版年：2023
提供了一种半导体器件(1)，包括：多个半导体芯片(20)；布置在半导体芯片(20)相对侧的第一导体(4)和第二导体(5)，第二导体(5)包括多个柱(10)，每个半导体芯片(20)包括：面向第一导体的第一表面；布置在第一表...
半导体器件子组件
7
[发明专利] 丹尼克斯半导体有限公司; 株洲中车时代电气股份有限公司 20180711R·A·辛普森  出版年：2021
本文公开了一种半导体器件子组件，该半导体器件子组件包括：多个第一类型的半导体单元，多个第二类型的半导体单元；多个导电块，该多个导电块可操作地与多个半导体单元耦合，导电可延展层，该导电可延展层可操作地与多个导电块耦合，其中...
半导体装置
8
[发明专利] 丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代半导体有限公司 20210528R·A·辛普森 王彦刚  出版年：2023
提供了一种半导体装置(1)，包括：壳体，该壳体包括壳体电极(4)；以及被布置在壳体内的至少一个半导体芯片(20)；其中，壳体电极(4)包括可变形部分(15)，并且可变形部分(15)被构造为当壳体的内部与外部之间的压力差超...
半导体器件
9
[发明专利] 丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代电气股份有限公司 20170525伊恩·德文尼 路德-金·恩格文森 约翰·哈钦斯  出版年：2020
我们在此公开了一种栅极控制的双极型半导体器件，包括：第一导电类型的集电极区；设置于所述集电极区之上的第二导电类型的漂移区；设置于所述漂移区之上的第一导电类型的主体区；第二导电类型的多个第一接触区，所述多个第一接触区设置于...
具有失效保护结构的半导体装置
10
[发明专利] 丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代半导体有限公司 20210827R·A·辛普森 王彦刚  出版年：2023
提供了一种半导体装置(1)，包括：壳体，包括：第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)以及管状壳体元件(8)，第一壳体电极(4)和第二壳体电极(5)布置在壳体的相反侧面，管状壳体元件(8)布置在第一壳体电极(4)和第二壳体...
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