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上海蓝光科技有限公司 收藏

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研究主题:发光二极管    出光效率    蓝宝石    芯片    刻蚀    

研究学科:电子信息类    自动化类    电气类    

被引量:14H指数:2WOS: 1 北大核心: 6 CSCD: 5

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335 条 记 录,以下是 1-10

一种高亮度直下式背光液晶模组设计
1
《光电子技术》北京大学物理学院;上海蓝光科技有限公司 范曼宁 张国义 郝茂盛 陈云峰  出版年:2011
研究开发了一款高亮度液晶显示用117 cm直下式背光模组,光源采用中功率高显色指数的LED,外加直下式用发散透镜结构,背光模组的混光距离为22mm,中心亮度最高可达到26 000 cd/m2以上,加上液晶屏之后,整个液晶...
关键词:发光二极管 背光源 直下式  高亮度 液晶显示 液晶模组
半户外液晶显示用高亮直下式LED背光设计
2
《液晶与显示》北京大学物理学院;彩虹集团上海蓝光科技有限公司 范曼宁 张国义 郝茂盛 陈云峰  出版年:2012
LED背光源技术开发及产业化(发改办高技[2009]No.2223)
开发了一款用于半户外液晶显示的117cm(46in)直下式背光结构,采用中功率、高显色指数的LED光源,在不使用发散透镜的情况下,使得光源阵列的混光距离在25mm以内,中心亮度可达到20 000cd/m2以上。通过对LE...
关键词:LED 背光源 直下式  高亮度 液晶显示
激光剥离转移衬底的薄膜GaN基LED器件特性分析
3
《半导体技术》北京大学物理学院介观物理实验室;上海蓝光科技有限公司 孙永健 陈志忠 齐胜利 于彤军 康香宁 刘鹏 张国义 朱广敏 潘尧波 陈诚 李仕涛 颜建峰 郝茂盛  出版年:2008
国家自然科学基金(60676032;60406007;60607003;60577030);国家"973"重点基础研究项目(TG2007CB307004)
制备了基于蓝宝石衬底的GaN基LED(C-LED)以及由激光剥离技术(LLO)制作的基于Cu衬底的相同电学结构的薄膜GaN基LED(LLO-LED)。通过研究发现,经过激光剥离过程后,器件的反向漏电流明显增加,其等效并联...
关键词:氮化镓 发光二极管 激光剥离 漏电流
采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED
4
《半导体技术》北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室;上海蓝光科技有限公司 齐胜利 陈志忠 潘尧波 郝茂盛 邓俊静 田朋飞 张国义 颜建锋 朱广敏 陈诚 李士涛  出版年:2008
国家自然科学基金(60676032;60406007;60607003;60577030;60876063;60476028);国家"973"重点基础研究项目(TG2007CB307004;2006CB921607)
大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p...
关键词:氮化镓 多量子阱  发光二极管  铝镓氮/氮化镓  多量子势垒  外量子效率
电子行业标准《小功率LED芯片技术规范》解读
5
《信息技术与标准化》东莞市中镓半导体科技有限公司;上海蓝光科技有限公司;中国电子技术标准化研究院 丁晓民 齐胜利 赵英  出版年:2012
2009年第一批工业行业标准制修订计划项目"小功率LED芯片技术规范";项目编号:2009-1675T-SJ
重点介绍了《小功率LED芯片技术规范》标准的编制背景、原则、标准结构和技术内容,对该标准的主要技术内容进行了说明和解读。
关键词:小功率  LED芯片 技术规范  编制原则  技术内容  
一种提高铝酸锂衬底上非极性a面GaN薄膜质量的方法
6
[发明专利] 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;中国科学院上海光学精密机械研究所;上海半导体照明工程技术研究中心 20090224周健华 潘尧波 颜建锋 郝茂盛 周圣明 杨卫桥 李抒智 马可军  出版年:2010
一种提高铝酸锂(302)面衬底上非极性a(11-20)面GaN薄膜质量的方法,在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中,在铝酸锂(LiAlO<Sub>2</Sub>)(302)面衬底上,在N<Sub>2</Sub>保...
能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法
7
[发明专利] 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司 20090227郝茂盛 周健华 张楠 陈诚 潘尧波  出版年:2010
本发明公开了一种能使LED的P-GaN层表面粗化的制作方法,其首先在半导体衬底上依次生长出N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、及非掺杂的粗化GaN层,然后采用ICP或离子干法刻蚀所述非掺杂的粗化GaN层以使所述非掺杂的...
蓝宝石图形衬底及其制备方法和发光二极管的制造方法
8
[发明专利] 上海蓝光科技有限公司 20121205袁根如 郝茂盛 陶淳 张楠 朱广敏 陈诚 杨杰 李士涛  出版年:2016
本发明提供一种蓝宝石图形衬底及其制备方法和发光二极管的制造方法,先于蓝宝石衬底表面制作周期为3.9~4.1μm、间距为0.9~1.1μm、直径为2.9~3.1μm、高度为2.1~2.8μm的圆柱体光刻胶图形;然后采用感应...
发光二极管及其制作方法
9
[发明专利] 上海蓝光科技有限公司 20110824张楠 周健华 朱广敏 郝茂盛  出版年:2011
本发明提供一种发光二极管及其制作方法,其中该制作方法是利用金属有机化学气相沉积技术在半导体衬底上依次生长出缓冲层及外延层,所述外延层包括N-GaN层、量子阱、及P-GaN层,及成长在所述P-GaN层上的氮化铝层,然后,利...
倒装发光二极管的制备方法
10
[发明专利] 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;北京大学 20090709颜建锋 郝茂盛 李淼 周健华 潘尧波 袁根如 陈诚 李士涛 张国义  出版年:2011
本发明公开了一种倒装发光二极管的制备方法,包括如下步骤:1)先在衬底表面制造出周期性排列的微结构图形;2)在具有微结构图形的衬底表面制备发光二极管结构,之后分别制备P电极和N电极;3)从衬底的背面采用激光照射衬底,使衬底...
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