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厦门市三安光电科技有限公司 收藏

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研究主题:发光二极管    外延层    电极    发光层    发光    

研究学科:电子信息类    电气类    自动化类    经济学类    环境科学与工程类    

被引量:24H指数:3WOS: 2 EI: 5 北大核心: 11 CSCD: 8

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782 条 记 录,以下是 1-10

溅射AlN技术对GaN基LED性能的影响
1
《半导体技术》厦门市三安光电科技有限公司 张洁  出版年:2017
研究了在图形蓝宝石衬底(PSS)上利用磁控溅射制备AlN薄膜的相关技术,随后通过采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在相关AlN薄膜上生了长GaN基LED。通过一系列对比实验,分析了AlN薄膜的制备条件对GaN外延层晶...
关键词:GaN基发光二极管(LED)  图形化蓝宝石衬底(pss)  磁控溅射 ALN薄膜 位错
位错类型对GaN基蓝光LED光效衰减效应的影响
2
《半导体技术》厦门市三安光电科技有限公司 朱学亮  出版年:2020
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403102)。
蓝光LED的光效衰减可以使器件在高电流密度下的发光效率急剧降低。研究了GaN材料中不同位错类型对蓝光LED光效衰减效应的影响。通过控制物理气相沉积AlN缓冲层厚度及GaN缓冲层的有无,得到了两组不同螺位错和刃位错密度的G...
关键词:光效衰减  GAN基LED 外量子效率 位错 V型缺陷  
LED制作中快速退火气体流量对ITO薄膜的影响
3
《电子制作》厦门市三安光电科技有限公司 钟志白 冯岩 林泉 邱丽琴  出版年:2015
采用直流磁控溅射方法制备氧化铟锡(ITO)薄膜,分析快速退火中不同氮气流量表面形貌,分析ITO膜快速退火中不同氧气流量的XRD图谱,通入氧气0.3sccm的(222)晶面衍射峰最强。随着电流增加,退火时通氧气流量0.3s...
关键词:氧化铟锡 磁控溅射 发光二极管  退火 气体流量
MOCVD设备与现代MOCVD技术研究
4
《山东工业技术》厦门市三安光电科技有限公司 许坚强  出版年:2018
MOCVD,即金属有机物化学气相沉积法、金属有机物气相外延生长,是一种制备化合物半导体薄层的方法,应用于多个领域,如太阳能电池、半导体激光器、LED等。现有的MOCVD设备主要依赖进口,成本较高,因此MOCVD设备的研究...
关键词:MOCVD设备 MOCVD技术 反应腔  
如何加强动力设备的安全运行管理分析
5
《现代工业经济和信息化》厦门市三安光电科技有限公司 邹文彬  出版年:2019
安全生产事关重大,没有安全作保障则无法获得经济收益,所以企业必须加强对动力设备的安全运行管理。结合当前企业安全生产动力设备存在的问题进行分析,并且积极提出相应的解决对策,从而促进动力设备的安全运行水平不断提升。
关键词:动力设备 安全运行  管理分析
户外光谱下聚光多结太阳电池电流匹配的优化 ( EI收录)
6
《太阳能学报》厦门大学物理与机电工程学院;厦门市三安光电科技有限公司 李欣 林桂江 刘冠洲 许怡红 赖淑妹 毕京锋 陈松岩  出版年:2016
国家高技术研究发展(863)计划(2012AA051402);国家自然科学基金(61176050;61036003;61176092);福建省自然科学基金(2012H0038)
针对户外变化的太阳光谱对多结太阳电池的电流匹配及效率有较大影响的问题,使用SMARTS软件计算青海格尔木地区全年不同时刻的户外太阳光谱,研究高倍聚光下Ga In P/Ga In As/Ge三结太阳电池在格尔木地区户外的输...
关键词:聚光光伏 太阳光谱 多结太阳电池 电流匹配  
氧化SiGe/Si多量子阱制备Si基SiGe弛豫衬底
7
《光谱实验室》福建农林大学金山学院办公室;厦门市三安光电科技有限公司 方春玉 蔡坤煌  出版年:2009
SiGe弛豫衬底是制备高性能Si基SiGe光电子器件的基础平台。本文通过1050℃不同时间氧化SiGe/SiMQW材料,分析氧化过程中Ge组分、弛豫度的变化趋势,制备位错密度低、表面平整、弛豫度超过60%的Si基Si0....
关键词:氧化  锗硅弛豫缓冲层  组分  弛豫度  
高压发光二极管的研制及产业化应用
8
《科技传播》厦门市三安光电科技有限公司 郑建森  出版年:2013
本文通过对图形化蓝宝石衬底外延生长、芯片晶粒间隔离及金属导线互联等多种工艺技术的优化,成功研制出集成式高压发光二极管(HV-LED),其产业化光效已超过110lm/W;20mA下的光场分布图,显现出良好的电流扩展性;与传...
关键词:高压  氮化镓 发光二极管 产业化  
利用平片蓝宝石衬底制备高功率垂直结构LED
9
《半导体技术》厦门市三安光电科技有限公司 杜伟华  出版年:2019
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403102)
在平片蓝宝石衬底上,通过引入AlN缓冲层,优化成核层与粗糙层的生长条件,生长出了表面平整的GaN薄膜,晶体质量得到显著提升。通过引入AlN缓冲层,将X射线衍射(XRD)下样品(002)面的半高宽(FWHM)由232″降低...
关键词:GAN 平片蓝宝石衬底  ALN 成核层  粗糙层  垂直结构LED  
聚光多结太阳电池电极优化设计 ( EI收录)
10
《太阳能学报》厦门市三安光电科技有限公司;天津三安光电有限公司 熊伟平 林桂江 刘冠洲 陈文俊  出版年:2015
国家重点基础研究发展(863)计划(2012AA051402)
通过分析太阳电池串联电阻r_s的组成,研究受光面平行栅状电极线宽W_L、间距W_s对电池填充因子FF及短路电流I_(sc)的影响。结果表明:相同电极线宽及厚度下,减小电极间距可提高填充因子,但同时会降低短路电流,因此需设...
关键词:聚光光伏 电极设计 电极线宽  电极间距  电极厚度  
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