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北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室 收藏

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研究主题:太赫兹    频率步进    成像系统    INP基    单片微波集成电路    

研究学科:电子信息类    机械类    自动化类    

被引量:28H指数:3WOS: 6 EI: 9 北大核心: 11 CSCD: 9

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34 条 记 录,以下是 1-10

频率步进太赫兹脉冲成像技术研究 ( EI收录)
1
《强激光与粒子束》北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室;西安电子工程研究所 胡伟东 张萌 武华锋 邹旸 孙厚军 吕昕  出版年:2013
国防基础预研基金项目
针对太赫兹频段具有大带宽的特点,阐述了太赫兹波段进行高分辨力成像的原理,按照微波上变频的方法,将微波源通过混频和倍频方式得到太赫兹频率源;采用频率步进脉冲体制,设计和实现了220GHz太赫兹主动成像系统;并在暗室和外场进...
关键词:太赫兹 频率步进 一维成像 二维逆合成孔径雷达成像  三维成像
D波段辐射计前端的设计与应用 ( EI收录)
2
《红外与毫米波学报》北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室 刘军 何伟 乔海东 于伟华 吕昕  出版年:2020
Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057)。
设计了D波段直接检波式辐射计前端,主要包括D波段检波器模块、D波段低噪声放大器模块和D波段标准增益喇叭天线.基于商用零偏二极管HSCH-9161研制出D波段检波器,测试结果显示在D波段内,最高灵敏度接近1600 mV/m...
关键词:D波段  辐射计前端  低噪声放大器 检波器
太赫兹雷达技术发展与应用
3
《中国电子科学研究院学报》中国电子科技集团公司电子科学研究院;北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室 王佳颖 张铣宸 周思远 姚智宇 蒋环宇  出版年:2021
利用太赫兹雷达进行探测和成像具有全天时、分辨率高、多普勒敏感、抗干扰和反隐身等独特优势,具有广阔的应用前景。文中首先介绍了太赫兹雷达发展的几项关键技术,包括电子学器件、收发阵列、成像算法等;其次,归纳了国内外太赫兹雷达成...
关键词:太赫兹雷达  成像系统 视频合成孔径雷达  
超宽带太赫兹调频连续波成像技术
4
《太赫兹科学与电子信息学报》北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室 胡伟东 许志浩 蒋环宇 刘庆国 檀桢  出版年:2023
国家自然科学基金重大科研仪器研制项目资助(61527805);国家自然科学基金重点项目资助(61731001)
太赫兹调频连续波成像技术具有高功率、小型化、低成本、三维成像等特点,在太赫兹无损检测领域受到了广泛关注。然而由于微波及太赫兹器件限制,太赫兹信号带宽难以做大,从而制约了成像的距离向分辨力。虽然高载频可实现较大宽带,但伴随...
关键词:太赫兹调频连续波  非线性度校准  多频段融合  准光设计  无损检测
太赫兹InP基InAlAs/InGaAs PHEMTs的研制(英文) ( EI收录)
5
《红外与毫米波学报》北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室;中国计量科学研究院;河北半导体研究所 王志明 黄辉 胡志富 赵卓彬 崔玉兴 孙希国 李亮 付兴昌 吕昕  出版年:2018
Supported by National Natural Science Foundation of China(61275107)
研制了一种T型栅长为90 nm的InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.65)Ga_(0.35)As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2×25μm,展现了极好的DC直流和RF射...
关键词:磷化铟 赝配高电子迁移率晶体管 INALAS/INGAAS 在片测试 单片集成电路
220GHz脉冲成像系统设计与应用研究
6
《现代科学仪器》北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室 胡伟东 张萌 穆晨晨 孙厚军 吕昕  出版年:2012
太赫兹(THz)成像是太赫兹技术的一个重要应用,在安全检查、环境监测、生物和医学的无损检测等方面都发挥着重要的作用。本文主要对太赫兹成像技术进行研究,使用微波源,通过混频和倍频方式得到太赫兹频率源,采用频率步进脉冲体制,...
关键词:太赫兹 成像 频率步进 应用  
D波段InP基高增益低噪声放大芯片的设计与实现(英文) ( EI收录)
7
《红外与毫米波学报》北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室 刘军 吕昕 于伟华 杨宋源 侯彦飞  出版年:2019
Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057)
利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110~170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测试结果表明:最大小...
关键词:InAlAs/InGaAs/InP  赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs)  90nm  单片微波集成电路(MMIC)  放大器  D波段  
基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器 ( EI收录)
8
《红外与毫米波学报》北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室;北京理工大学重庆微电子研究院;北京无线电测量研究所;南京电子器件研究所单片集成电路与模块实验室 王伯武 于伟华 侯彦飞 余芹 孙岩 程伟 周明  出版年:2023
Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057)。
基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿...
关键词:磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)  单片微波集成电路(MMIC)  共源共栅放大器  宽带  
太赫兹波导封装技术的研究与应用 ( EI收录)
9
《电子学报》中国电子科技集团公司第五十四研究所北京研发中心;北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室 刘军 于伟华 吕昕  出版年:2022
国家自然科学基金(No.61771057);921载人航天预研项目(No.060401);国防科工局“十三五”民用航天预研项目(No.B0105)。
对太赫兹波导封装技术进行研究,并在D波段(110~170 GHz)和220 GHz频段分别进行设计验证.通过金丝键合技术对研制的D波段放大器芯片进行波导封装设计,封装测试结果为:封装模块在139 GHz测试得到最大增益为...
关键词:太赫兹 波导封装  放大器 金丝键合 波导-集成探针过渡  
InAlAs/InGaAs/InP基PHEMTs小信号建模及低噪声应用(英文) ( EI收录)
10
《红外与毫米波学报》北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室 刘军 于伟华 杨宋源 侯彦飞 崔大胜 吕昕  出版年:2018
Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057)
利用改进的小信号模型对采用100nmInAlAs/InGaAs/InP工艺设计实现的PHEMTs器件进行建模,并设计实现了一款W波段单片低噪声放大器进行信号模型的验证。为了进一步改善信号模型低频S参数拟合差的精度,该小信...
关键词:InAlAs/InGaAs/InP  赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs)  小信号模型  毫米波和亚毫米波  单片微波集成电路(MMIC)  低噪声放大器  
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