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上海新傲科技股份有限公司 收藏

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研究主题:衬底    绝缘埋层    键合    晶圆    减薄    

研究学科:电子信息类    经济学类    自动化类    环境科学与工程类    机械类    

被引量:3H指数:1WOS: 1 EI: 1 北大核心: 1 CSCD: 1

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335 条 记 录,以下是 1-10

两步氧离子注入工艺制备SOI材料研究 ( EI收录)
1
《科学通报》中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 魏星 薛忠营 武爱民 王湘 李显元 叶斐 陈杰 陈猛 张波 林成鲁 张苗 王曦  出版年:2010
国家科技重大专项(2009ZX02040);国家重点基础研究发展计划(2010CB832906);国家自然科学基金(60721004);上海市国际科技合作基金(AM基金)(08520740100);上海市自然科学基金(10ZR1436100)资助项目
研究了200keV注入能量下,单步氧离子注入工艺制备SIMOX材料的剂量窗口.在此基础上,提出了一种第一步注入剂量为3.6×1017cm-2、第二步注入剂量为3×1015cm-2的改进型两步氧离子注入工艺,用于制备高质量...
关键词:绝缘体上的硅  界面形貌 剂量窗口  注氧隔离
试论自动化通信设备的常见故障及维修
2
《城市建筑》上海新傲科技股份有限公司 薛会海  出版年:2016
自动化通信设备的应用给人们带来了便捷的生活,提高了工作效率,但是相关设备很可能在使用过程中出现一些故障问题.本文分析了自动化通信设备的常见故障以及检测维修的顺序和方法,以期能够提高相关操作和维修人员的实际工作技能,在遇到...
关键词:自动化 通信设备 常见故障  维修  
多片平板硅外延机台均匀性提升研究
3
《机电信息》上海新傲科技股份有限公司 吴庆东  出版年:2024
论述了多片平板硅外延机台影响外延层均匀性的因素,通过试验验证影响因素,得出了控制这些因素的方法及条件。
关键词:多片平板外延机台  炉内均匀性  旋转控制系统  
晶圆的表面氧化方法
4
[发明专利] 上海新傲科技股份有限公司 20190425徐慧军 庄俞佳 王浩 李翔宇  出版年:2022
本发明提供了一种晶圆的表面氧化方法,采用立式炉管的退火炉,所述立式炉管包括设置在侧壁一侧上的进气管路,所述进气管路包括靠近立式炉管底部设置的进气端,以及靠近立式炉管顶部设置的出气端,所述晶圆叠置于所述立式炉管中,包括如下...
表征衬底表面性质的装置以及方法
5
[发明专利] 上海新傲科技股份有限公司 20110513张峰 曹共柏 魏星 王文宇 王曦  出版年:2014
一种表征衬底表面性质的装置,用于夹持衬底以对其表面进行选择性遮挡,以便对衬底表面进行选择性腐蚀,包括:多个压盘,所述压盘各自具有一朝向被夹持的衬底的被腐蚀表面的平面;一背板,所述背板与压盘相对设置,用于同压盘的平面相配合...
混合晶向应变硅衬底及其制备方法
6
[发明专利] 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 20091013魏星 王湘 李显元 张苗 王曦 林成鲁  出版年:2012
一种混合晶向应变硅衬底,包括:支撑衬底;直接设置于支撑衬底表面的锗硅层;以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层。本发明进一步提供了所述混合晶向应变硅衬底的制备方法。本发明的优点在于,所提供的混合晶向应变硅衬底中,能够降低第一...
晶圆处理装置
7
[实用新型] 上海新傲科技股份有限公司 20200426徐慧军 徐浩 徐成耀 张雅荣  出版年:2020
该实用新型涉及一种晶圆处理装置,包括腔体,用于放置晶圆;风机,所述风机的出风口与所述腔体的进风口连通;软管,设置于所述风机的出风口与所述腔体的进风口之间,用于缓冲所述风机的震动对所述腔体的影响。该装置可以减少晶圆处理工艺...
SOI基底及其形成方法、半导体结构及其形成方法
8
[发明专利] 上海新傲科技股份有限公司 20241127刘松 李炜 汪聪颖 李文龙 魏星  出版年:2025
本发明涉及一种SOI基底及其形成方法、半导体结构及其形成方法。所述SOI基底的形成方法,包括如下步骤:提供硅晶圆,所述硅晶圆包括相对分布的正面和背面;于所述硅晶圆的背面形成包括氧化物材料的阻挡层;自所述硅晶圆的正面注入氧...
带有绝缘埋层的沟槽栅功率场效应晶体管
9
[发明专利] 上海新傲科技股份有限公司 20131231魏星 徐大伟 狄增峰 方子韦  出版年:2014
本发明提供了一种带有绝缘埋层的沟槽栅功率场效应晶体管,包括:源极层和漏极层,所述源极层设置在衬底的第一表面,所述漏极层设置在衬底与第一表面相对的第二表面;掺杂阱层,所述掺杂阱层设置在所述源极层和漏极层之间,且与所述源极层...
适用于高压器件的硅片及其制造方法
10
[发明专利] 上海新傲科技股份有限公司 20240929吴庆东 张昱 汪金梅 李炜 李晓标 黄俊  出版年:2025
本发明涉及一种适用于高压器件的硅片及其制造方法。所述适用于高压器件的硅片的制造方法包括如下步骤:提供支撑晶圆,所述支撑晶圆包括沿第一方向相对分布的第一表面和第二表面;于所述支撑晶圆的所述第一表面形成外延堆叠层,所述外延堆...
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