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北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室 收藏

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研究主题:垂直腔面发射激光器    激光器    基横模    大功率半导体激光器    MOCVD    

研究学科:电子信息类    电气类    自动化类    机械类    

被引量:40H指数:3WOS: 6 EI: 7 北大核心: 20 CSCD: 12

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22 条 记 录,以下是 1-10

垂直腔面发射激光器横模控制方法的研究进展
1
《激光与光电子学进展》北京工业大学信息学部 王翔媛 崔碧峰 李彩芳 许建荣 王豪杰  出版年:2021
国家自然科学基金(11204009);北京市自然科学基金(4142005,4182014);北京市科技计划一般项目(KM201810005025)。
垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为理想的激光光源,具有广阔的发展前景。在光纤通信、光互连以及激光打印等应用领域中,大多要求VCSEL工作在基横模状态,而由于VCSEL自身的结构特点,易于激射出多横模,因此对VCSEL横...
关键词:激光器 垂直腔面发射激光器 基横模 控制方法
大功率半导体激光器光束质量的研究与进展
2
《激光与光电子学进展》北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室 陈芬 崔碧峰 冯靖宇 郑翔瑞 陈中标  出版年:2023
国家自然科学基金(11204009);北京市自然科学基金(4142005,4182014);北京市科技计划(KM201810005025)。
半导体激光器作为一种理想的激光光源,具有广阔的发展前景。在激光雷达、光泵浦、光纤耦合等领域,对半导体激光器的要求除大功率以外,还需具有高光束质量。由于大功率半导体激光器自身的结构特点,侧向易出现多模态光束,严重影响侧向光...
关键词:激光器 半导体激光器 侧向光束质量  侧模控制  
氧化后退火技术对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响
3
《半导体技术》北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 杨涛涛 韩军 林文魁 曾春红 张璇 孙玉华 张宝顺 鞠涛  出版年:2018
国家自然科学基金资助项目(61204011,11204009,61574011);江苏省科技计划项目(BE2014066);北京市自然科学基金资助项目(4142005);北京市教委能力提升项目(PXM2017-014204-500034);中国科学院科研装备研制项目(YZ201549)
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响。在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PEC...
关键词:4H-SIC MOS电容 C-V测试 界面态密度 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)  
垂直腔面发射激光器DBR的生长优化
4
《半导体光电》北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室 许晓芳 邓军 李建军 张令宇 任凯兵 冯媛媛 贺鑫 宋钊 聂祥  出版年:2022
基于能带理论和分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理,分析了垂直腔面发射激光器(VCSEL)中DBR串联电阻较大的原因。采用组分渐变降低DBR结构中异质结界面处势垒,优化DBR的各层掺杂浓度,通过调控费米能级进一步降低DB...
关键词:795 nm垂直腔面发射激光器  分布布拉格反射镜 串联电阻 渐变生长  MOCVD
基于模型性能相关性的分级剪枝率剪枝方法
5
《计算机工程与设计》四川师范大学计算机科学学院;中国科学院计算技术研究所;北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室 杨康 郭荣佐 李超 许建荣 严阳春 宫禄齐  出版年:2021
国家自然科学基金青年基金项目(61701331)。
目前剪枝方法中还没有对信息量分布不均的神经网络层做不同剪枝率处理的方法,为此提出一种对不同网络层剪枝不同比例的方式。逐层恢复已经被剪枝神经网络模型的各层,得到各层与模型性能的相关性,对神经网络层进行分类级,对不同类级的神...
关键词:模型压缩  剪枝 性能相关性  剪枝率  
894 nm高温工作氧化限制型基横模VCSEL研究 ( EI收录)
6
《红外与激光工程》北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室;中国科学院半导体研究所 王秋华 李明 邱平平 庞伟 解意洋 阚强 徐晨  出版年:2022
国家重点研发计划(2018 YFA0209000);国家自然科学基金(62074011,61604007,61874145,61774175);北京市自然科学基金(4172009,4182012);北京市科技新星计划(Z201100006820096)。
针对芯片原子钟(铯)用激光光源系统对垂直腔面发射激光器(VCSEL)模式及工作温度的需求,研制出可以高温工作的氧化限制型基横模894.6 nm VCSEL。通过缩小VCSEL氧化孔直径至3μm,限制VCSEL高阶横模激射...
关键词:垂直腔面发射激光器 基横模 高温 铯原子钟
多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺
7
《微纳电子技术》北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室 孙伟业 邓军 何磊磊 杜欣钊  出版年:2020
北京市自然科学基金资助项目(4182011);19科技创新服务能力建设(市级)资助项目(040000546319536);北京工业大学第十七届研究生科技基金资助项目(ykj-2018-00429).
基于微米球刻蚀技术设计了一种制备多量子阱红外探测器(QWIP)表面二维光栅的新型工艺,通过改变微米球的直径可以为不同探测波长的QWIP制备表面二维光栅,有效降低了制备成本和技术难度。采用GaAs衬底作为实验片制作光栅、聚...
关键词:二维光栅  微米球刻蚀  量子阱  反应离子刻蚀(RIE)  多量子阱红外探测器(QWIP)  
GaN基肖特基势垒二极管的结构优化研究进展
8
《半导体技术》北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室 程海娟 郭伟玲 马琦璟 郭浩 秦亚龙  出版年:2022
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具有电子饱和速率高、临界击穿电场大、热导率高等优点。GaN基肖特基势垒二极管(SBD)具有工作频率高、导通电阻小、耐高温高压等特点,在电动汽车、数据中心及5G通信技术...
关键词:氮化镓(GaN)  肖特基势垒二极管(SBD)  结构优化 垂直器件  准垂直器件  
基于非磁性材料Cr/Au的VCSEL欧姆接触特性
9
《微纳电子技术》杭州士兰集成电路有限公司;北京工业大学信息学部 宋金伟 张峰 郭艳玲 关宝璐  出版年:2020
国家自然科学基金资助项目(60908012,61575008,61775007);北京市自然科学基金资助项目(4172011)。
采用圆点传输线模型(CDTLM),对基于非磁性材料Cr/Au的垂直腔面发射激光器(VCSEL)n型GaAs欧姆接触系统进行了研究。实验结果表明,在400℃下退火35 s后,基于非磁性材料Cr/Au (50 nm/300 ...
关键词:垂直腔面发射激光器(VCSEL)  圆点传输线模型(CDTLM)  非磁性材料Cr/Au  比接触电阻率 欧姆接触
不同Mo层厚度的AlN/Mo/Sc_(0.2)Al_(0.8)N复合结构上MOCVD外延GaN ( EI收录)
10
《发光学报》北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室;长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 李嘉豪 韩军 邢艳辉 董晟园 王冰辉 任建华 曾中明 张宝顺 邓旭光  出版年:2023
国家自然科学基金(61731019);北京市自然科学基金(4202010)。
采用脉冲直流磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了AlN/Mo/Sc_(0.2)Al_(0.8)N复合结构薄膜,在该结构上通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术进行GaN薄膜的外延。使用原子力显微镜、高分辨X射线衍射...
关键词:GAN 金属有机化学气相沉积(MOCVD)  ScAlN  X射线衍射
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